一月四日當指數跌破九四○○點關卡，許多專家紛紛看壞後市、看空行情，甚至叫您把股票賣在不該賣的地方時，當時九三一九點我看多，我看千點行情，很多人都覺得我「瘋了」，結果現在大家事後回過頭來看，至二月二十日再創一○二七二點新高為止，已足足強彈大漲九五三點。
隨著美中第七回合貿易談判於二月二十一日至二十二日在華府登場之際，川普再度暗示可能考慮延長休兵期限，一般預料再延長六十天協商期機率甚大，在雙方均有一定共識與認知之下，對於美股與全球股市也將有推波助瀾的效果。
就類股與個股的輪動架構來看，光學鏡頭、電子材料、機器人概念股及生技股等持續強勢上攻，矽智財、機殼廠、軟板及自行車等也接續輪動強彈，顯見法人大戶作價企圖心沒有改變，在多方氣盛、市場人氣回籠以及多頭反彈趨勢不變的前提下，逢低偏多操作的策略就無須改變。
對於部分漲幅已大個股不建議過度追價，不過，隨著個股輪動輪漲精彩好戲持續進行中，對於一些股價還在相對低檔，且前景展望佳的族群與個股，逢低仍值得留意。
【個股推薦】嘉晶(3016)磊晶產量為世界第二大。主要利基題材有：
(1)業績表現亮眼：二○一八年前三季EPS達一．二元，較前年同期大幅成長近二倍，去年全年營收達四五．二四億元，年增三五．三三％，優於市場預期。
受惠MOSFET及IGBT等功率元件強勁需求、市場供不應求、報價調漲、國際IDM大廠擴大委外代工，以及因應電動車及自駕車、5G高速通訊、人工智慧及高效能運算(AI/HPC)等新應用快速崛起，包括英飛凌(Infineon)、安森美(ON Semi)、德儀等提前卡位第三代半導體關鍵材料碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)市場，嘉晶已投入GaN及SiC的矽晶圓及晶圓代工技術多年，掌握致勝先機，今年營運持續爆發大成長可期。
(2)為國內唯一同時提供碳化矽、氮化鎵兩種磊晶製程廠商：碳化矽於「一千二百伏特以上」的高壓背景環境，具十分顯著的應用優勢，並可大大減少高達「八五％」的切換能源損失，非常適合運用於電動車、高鐵、超高壓直流輸送電、工業電機、智能電網、航空航太等高壓電力(高功率)應用領域。
氮化鎵則主要應用於「六百至一千伏特」工作電壓區間，對應SiC、GaN基材材料特性發展出的功率半導體晶片，如：MOSFET(金屬氧化物半導體場效電晶體)、IGBT(絕緣柵雙極電晶體)等，於產業界、市場發展功率半導體應用時，亦將超越以往因矽基材性能較低造成的應用限制。
因SiC、GaN基材具備更佳：低電流阻抗(膜厚漂移層drift diffusion更可薄化，進一步降低電流阻抗值)、高電能轉換效率、耐高溫及低過熱風險(因為寬能隙)、耐高壓(因擊穿電場高)等運作優勢，結合動力模組的體積、重量同步縮減，有利電動車進一步延長「單次充電後行駛距離」，亦間接有助於全球電動車市規模持續擴大，因此，誰能夠掌握到碳化矽與氮化鎵關鍵技術，將可望帶動未來營運及獲利大爆發。
(3)營運前景看俏：根據券商報告表示，預估未來五年碳化矽與氮化鎵功率元件與模組的年複合成長率為二一％、八三％，嘉晶除了四吋SiC碳化矽、六吋氮化鎵已正式出貨，今年將更進一步導入六吋碳化矽磊晶製程。
【操作建議】低接不追高，法人力挺偏多，以及雙軋行情啟動(截至二月十九日，融券餘額達五六四四張，券資比達五八．八八％)，雖股價已累積一段不小的漲幅，後市只要守穩月線或季線不破，加上「控盤指標」及「攻擊力道」可續維持翻紅強勢攻堅，後市仍有軋空大漲再創新高機會可期(※基本面資料若有異動，依公開資訊觀測站最新訊息為主)。基於風險考量，設好停損停利(詳見附圖說明)。　　＃
 

嘉晶(3016) 券資比續攀升